Référence fabricant
MRFE6VP61K25NR6
MRFE6VP Series 133 V 230 MHz Dual Channel RF Power LDMOS Transistor - OM-1230-4L
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| Nom du fabricant: | NXP | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :150 par Bulk Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
NXP MRFE6VP61K25NR6 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
NXP MRFE6VP61K25NR6 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | RF Fet |
| No of Channels: | 2 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 133V |
| Rated Power Dissipation: | 3333W |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 10V |
| Operating Temp Range: | -40°C to +225°C |
| Gate Source Threshold: | 2.2V |
| Height - Max: | 3.86mm |
| Length: | 32.33mm |
| Input Capacitance: | 562pF |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
10 Semaines
Quantité
Prix unitaire
150+
$166.55
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
150 par Bulk
Méthode de montage :
Surface Mount