Référence fabricant
MRF13750HR5
MRF13750H Series 50 V 1300 MHz 750 W CW RF Power LDMOS Transistor - NI-1230H-4S
Product Specification Section
NXP MRF13750HR5 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
NXP MRF13750HR5 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: | RF Fet |
No of Channels: | 2 |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 105V |
Rated Power Dissipation: | 1333W |
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 10V |
Operating Temp Range: | -40°C to +150°C |
Gate Source Threshold: | 1.72V |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
10 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$165.74
3
$163.15
5
$161.95
10
$160.35
20+
$157.84
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Box
Méthode de montage :
Surface Mount