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Référence fabricant

IXTP130N10T

N-Channel 100 V 130 A 9.1 mΩ Flange Mount TrenchMV Power Mosfet - TO-220

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: IXYS
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2440
Product Specification Section
IXYS IXTP130N10T - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Drain-Source On Resistance-Max: 9.1mΩ
Rated Power Dissipation: 360|W
Qg Gate Charge: 104nC
Style d'emballage :  TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
3 500
d’Allemagne (En ligne seulement):
3 500
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
N/A
Commande minimale :
50
Multiples de :
50
Total 
94,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
50
$1.88
150
$1.86
250
$1.85
1 000
$1.81
1 500+
$1.79
Product Variant Information section