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Référence fabricant

IXFK100N65X2

N-Channel 650 V 100 A 30 mOhm Thru-Hole X2-Class HiPerFET Power Mosfet - TO-264

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: IXYS
Emballage standard:
Code de date:
Product Specification Section
IXYS IXFK100N65X2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 650V
Drain-Source On Resistance-Max: 30mΩ
Rated Power Dissipation: 1040W
Qg Gate Charge: 183nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 30V
Drain Current: 100A
Turn-on Delay Time: 37ns
Turn-off Delay Time: 90ns
Rise Time: 26ns
Fall Time: 13ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Input Capacitance: 11300pF
Style d'emballage :  TO-264AA
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne (En ligne seulement):
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
32 Semaines
Commande minimale :
1
Multiples de :
1
Total 
12,72 $
USD
Quantité
Prix Internet
1
$12.72
5
$12.56
25
$12.40
75
$12.29
200+
$12.11