Référence fabricant
ISC022N10NM6ATMA1
Single N-Channel 100 V 2.24 mOhm 91 nC OptiMOS Power Mosfet - PG-TDSON-8 FL
| | |||||||||||
| | |||||||||||
| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :5000 par Style d'emballage :PG-TSON-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2321 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon ISC022N10NM6ATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
L'article ne peut être envoyé à certains pays. Voir la liste
L'article ne peut pas être envoyé aux pays suivants:
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Infineon ISC022N10NM6ATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 2.24mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 3W |
| Qg Gate Charge: | 73nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 25A |
| Turn-on Delay Time: | 13ns |
| Turn-off Delay Time: | 30ns |
| Rise Time: | 6ns |
| Fall Time: | 7ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 2.8V |
| Technology: | OptiMOS |
| Input Capacitance: | 5400pF |
| Series: | OptiMOS 6 |
| Style d'emballage : | PG-TSON-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
9
États-Unis:
9
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par
Style d'emballage :
PG-TSON-8
Méthode de montage :
Surface Mount