text.skipToContent text.skipToNavigation

Livraison gratuite aux États-Unis continentaux à partir de 50 $ US. Des conditions s'appliquent

  1. home
  2. Semiconducteurs
  3. Discrets
  4. Transistors
  5. Mosfet
  6. IRLML6401TRPBF

Infineon | IRLML6401TRPBF

Référence fabricant

IRLML6401TRPBF

Single P-Channel 12 V 0.05 Ohm 10 nC SMT HEXFET® Power Mosfet - MICRO-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2339
Product Specification Section
Infineon IRLML6401TRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: P-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 12V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.05Ω
Rated Power Dissipation: 1.3|W
Qg Gate Charge: 10nC
Drain Current: 4.3A
Turn-on Delay Time: 11ns
Turn-off Delay Time: 250ns
Rise Time: 32ns
Fall Time: 210ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: -0.55V
Input Capacitance: 830pF
Style d'emballage :  MICRO-3
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The IRLML6401TRPBF is a 12 V fast switching Single P-Channel HEXFET Power Mosfet, available in a low profile MICRO-3 Package.
 
Features:

  • Ultra Low On-Resistance
  • P-Channel MOSFET
  • SOT-23 Footprint
  • Low Profile (<1.1mm)
  • Available in Tape and Reel
  • Fast Switching
  • 1.8 V Gate Rated

Applications:

  • Battery
  • Load Management
  • Portable electronics
  • PCMCIA cards

 

 

Pricing Section
Stock global :
1 944 000
États-Unis:
1 236 000
d’Allemagne (En ligne seulement):
708 000
Sur commande :Order inventroy details
234 000
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
200,10 $
USD
Quantité
Prix Internet
3 000
$0.0667
9 000
$0.0642
15 000
$0.0631
45 000
$0.0607
75 000+
$0.0587
Product Variant Information section