Référence fabricant
IRL520NSTRLPBF
Single N-Channel 100 V 0.26 Ohm 20 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :800 par Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2002 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRL520NSTRLPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Obsolète
Obsolète
Infineon IRL520NSTRLPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.26Ω |
| Rated Power Dissipation: | 3.8W |
| Qg Gate Charge: | 20nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 16V |
| Drain Current: | 10A |
| Turn-on Delay Time: | 4ns |
| Turn-off Delay Time: | 23ns |
| Rise Time: | 35ns |
| Fall Time: | 22ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 2V |
| Technology: | Si |
| Height - Max: | 4.83mm |
| Length: | 9.65mm |
| Input Capacitance: | 440pF |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
1
États-Unis:
1
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
800 par
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount