Référence fabricant
IRFR9024NTRPBF
Single P-Channel 55V 0.175 Ohm 19 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2000 par Style d'emballage :TO-252AA Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2025 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRFR9024NTRPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Fichier
Date
ADVISORY
11/14/2022 Détails et téléchargement
Subject Standardization of lot number format.Reason Harmonize and standardize the lot number format across all external production partners.Description: Lot numberOld - Multiple lot number formatsNew - Standardized into a single 11 alphanumeric lot number formatIntended start of delivery 2023-02-10Note: Customers may receive both current and new lot number formats, until existing inventory will be depleted
Statut du produit:
Actif
Actif
Infineon IRFR9024NTRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | P-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 55V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.175Ω |
| Rated Power Dissipation: | 38W |
| Qg Gate Charge: | 19nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 11A |
| Turn-on Delay Time: | 13ns |
| Turn-off Delay Time: | 23ns |
| Rise Time: | 55ns |
| Fall Time: | 37ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Technology: | Advanced Process Technology |
| Height - Max: | 2.39mm |
| Length: | 6.73mm |
| Input Capacitance: | 350pF |
| Style d'emballage : | TO-252AA |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
257
États-Unis:
257
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2000 par
Style d'emballage :
TO-252AA
Méthode de montage :
Surface Mount