Référence fabricant
IRFR5410TRPBF
Single P-Channel 100 V 0.205 Ohm 58nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2000 par Reel Style d'emballage :TO-252AA Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2338 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRFR5410TRPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Fichier
Date
ADVISORY
11/14/2022 Détails et téléchargement
Subject Standardization of lot number format.Reason Harmonize and standardize the lot number format across all external production partners.Description: Lot numberOld - Multiple lot number formatsNew - Standardized into a single 11 alphanumeric lot number formatIntended start of delivery 2023-02-10Note: Customers may receive both current and new lot number formats, until existing inventory will be depleted
Statut du produit:
Actif
Actif
Infineon IRFR5410TRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.205Ω |
| Rated Power Dissipation: | 66|W |
| Qg Gate Charge: | 58nC |
| Style d'emballage : | TO-252AA |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
132 000
États-Unis:
92 000
d’Allemagne (En ligne seulement):
40 000
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 000
$0.43
4 000
$0.425
6 000
$0.42
8 000
$0.415
10 000+
$0.41
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2000 par Reel
Style d'emballage :
TO-252AA
Méthode de montage :
Surface Mount