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Infineon | IRFR3410TRPBF

Référence fabricant

IRFR3410TRPBF

Single N-Channel 100 V 39 mOhm 56 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 1952
Product Specification Section
Infineon IRFR3410TRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Drain-Source On Resistance-Max: 39mΩ
Rated Power Dissipation: 3W
Qg Gate Charge: 56nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 31A
Turn-on Delay Time: 12ns
Turn-off Delay Time: 40ns
Rise Time: 27ns
Fall Time: 13ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 4V
Technology: Si
Height - Max: 2.39mm
Length: 6.73mm
Input Capacitance: 1690pF
Style d'emballage :  TO-252AA
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
12
États-Unis:
12
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
10 Semaines
Commande minimale :
1
Multiples de :
1
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
0,80 $
USD
Quantité
Prix Internet
1
$0.795
15
$0.69
50
$0.645
250
$0.585
1 000+
$0.53
Product Variant Information section