Référence fabricant
IRFR024NTRPBF
Single N-Channel 55 V 0.075 Ohm 20nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Product Specification Section
Infineon IRFR024NTRPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Fichier
Date
ADVISORY
11/14/2022 Détails et téléchargement
Subject Standardization of lot number format.Reason Harmonize and standardize the lot number format across all external production partners.Description: Lot numberOld - Multiple lot number formatsNew - Standardized into a single 11 alphanumeric lot number formatIntended start of delivery 2023-02-10Note: Customers may receive both current and new lot number formats, until existing inventory will be depleted
Statut du produit:
Actif
Actif
Infineon IRFR024NTRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: | N-Ch |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 55V |
Drain-Source On Resistance-Max: | 0.075Ω |
Rated Power Dissipation: | 45|W |
Qg Gate Charge: | 20nC |
Style d'emballage : | TO-252AA |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
9
États-Unis:
9
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2000 par
Style d'emballage :
TO-252AA
Méthode de montage :
Surface Mount