Référence fabricant
IRFB4110PBF
Single N-Channel 100 V 4.5 mOhm 210 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRFB4110PBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Infineon IRFB4110PBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 4.5mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 370W |
| Qg Gate Charge: | 210nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 180A |
| Turn-on Delay Time: | 25ns |
| Turn-off Delay Time: | 78ns |
| Rise Time: | 67ns |
| Fall Time: | 88ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Technology: | Si |
| Height - Max: | 9.02mm |
| Length: | 10.67mm |
| Input Capacitance: | 9620pF |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$0.985
40
$0.955
150
$0.93
400
$0.91
1 500+
$0.86
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole