Référence fabricant
IPW65R045C7FKSA1
N-Channel 650 V 45 mOhm CoolMOSTM C7 Power Transistor-PG-TO-247-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :30 par Tube Style d'emballage :TO-247-3 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2345 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPW65R045C7FKSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Fichier
Date
Assembly Site Change
11/07/2022 Détails et téléchargement
Introduction of an additional assembly and final test location at Huayi Microelectronics Co., Ltd (HYME) for CoolMOSTM for package TO247-3Subject Introduction of an additional assembly and final test location at Huayi Microelectronics Co., Ltd (HYME) for CoolMOSTM for package TO247-3.Reason Expansion of assembly and test location to assure continuity and increase of supply.Intended start of delivery 2023-02-25, or earlier, depending on customer�s approval
Statut du produit:
Actif
Actif
Infineon IPW65R045C7FKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 45mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 227|W |
| Qg Gate Charge: | 93nC |
| Style d'emballage : | TO-247-3 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
384
États-Unis:
384
Délai d'usine :
17 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$5.91
10
$5.85
30
$5.80
125
$5.74
300+
$5.66
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
30 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-3
Méthode de montage :
Through Hole