Référence fabricant
IPW60R040C7XKSA1
Single N-Channel 600 V 40 mOhm 107 nC CoolMOS™ Power Mosfet - TO-247-3
Product Specification Section
Infineon IPW60R040C7XKSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Fichier
Date
Assembly Site Change
11/07/2022 Détails et téléchargement
Introduction of an additional assembly and final test location at Huayi Microelectronics Co., Ltd (HYME) for CoolMOSTM for package TO247-3Subject Introduction of an additional assembly and final test location at Huayi Microelectronics Co., Ltd (HYME) for CoolMOSTM for package TO247-3.Reason Expansion of assembly and test location to assure continuity and increase of supply.Intended start of delivery 2023-02-25, or earlier, depending on customer�s approval
Statut du produit:
Actif
Actif
Infineon IPW60R040C7XKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: | N-Ch |
No of Channels: | 1 |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 600V |
Drain-Source On Resistance-Max: | 40mΩ |
Rated Power Dissipation: | 227|W |
Qg Gate Charge: | 107nC |
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
Drain Current: | 50A |
Turn-on Delay Time: | 18.5ns |
Turn-off Delay Time: | 81ns |
Rise Time: | 11ns |
Fall Time: | 3.2ns |
Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
Gate Source Threshold: | 3.5V |
Technology: | CoolMOS |
Height - Max: | 21.1mm |
Length: | 16.13mm |
Input Capacitance: | 4340pF |
Style d'emballage : | TO-247-3 |
Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Quantité
Prix Internet
30
$5.51
480
$5.48
720+
$5.45
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
30 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-3
Méthode de montage :
Through Hole