Référence fabricant
IPW60R017C7XKSA1
Single N-Channel 600 V 17 mOhm 240 nC CoolMOS™ Power Mosfet - TO-247-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :30 par Tube Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPW60R017C7XKSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Infineon IPW60R017C7XKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 600V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 17mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 446W |
| Qg Gate Charge: | 50nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 109A |
| Turn-on Delay Time: | 30ns |
| Turn-off Delay Time: | 106ns |
| Rise Time: | 25ns |
| Fall Time: | 4ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3.5V |
| Technology: | CoolMOS |
| Input Capacitance: | 9890pF |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Quantité
Prix Internet
30
$11.08
60
$11.03
120
$10.97
150
$10.95
450+
$10.83
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
30 par Tube
Méthode de montage :
Through Hole