Référence fabricant
IPQC60R010S7XTMA1
S7 Series 600 V 50A 10 mOhm N-Channel High Voltage Power Mosfet - PG-HDSOP-22
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :750 par Reel Style d'emballage :PG-HDSOP-22 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPQC60R010S7XTMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Infineon IPQC60R010S7XTMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 600V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 10mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 694W |
| Qg Gate Charge: | 318nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 50A |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Technology: | Si |
| Series: | S7 |
| Style d'emballage : | PG-HDSOP-22 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix Internet
750+
$13.12
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
750 par Reel
Style d'emballage :
PG-HDSOP-22
Méthode de montage :
Surface Mount