Référence fabricant
IPDQ60R022S7XTMA1
IPDQ60R Series N Channel 600 V 24 A 416 W 22 mOhm CoolMOS Mosfet - PG-HDSOP-22
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :750 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPDQ60R022S7XTMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Infineon IPDQ60R022S7XTMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 600V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 22mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 416W |
| Qg Gate Charge: | 150nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 24A |
| Turn-on Delay Time: | 30ns |
| Turn-off Delay Time: | 150ns |
| Rise Time: | 4ns |
| Fall Time: | 9ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +155°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Technology: | CoolMOS |
| Input Capacitance: | 5639pF |
| Series: | CoolMOS |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Quantité
Prix unitaire
750+
$6.23
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
750 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount