Référence fabricant
IPB068N20NM6ATMA1
200 V 15.4 A 3.8 W Surface Mount N-Channel MOSFET - PG-TO263-3-2
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2348 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPB068N20NM6ATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Infineon IPB068N20NM6ATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 200V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 6.3mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 3.8W |
| Qg Gate Charge: | 110nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 15.4A |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
50
États-Unis:
50
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount