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Infineon | IPB017N10N5ATMA1

Référence fabricant

IPB017N10N5ATMA1

Single N-Channel 100 V 1.7 mOhm 168 nC OptiMOS™ Power Mosfet - D2PAK-7

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2348
Product Specification Section
Infineon IPB017N10N5ATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Drain-Source On Resistance-Max: 1.7mΩ
Rated Power Dissipation: 375W
Qg Gate Charge: 168nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 180A
Turn-on Delay Time: 33ns
Turn-off Delay Time: 80ns
Rise Time: 23ns
Fall Time: 27ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 3V
Technology: OptiMOS
Input Capacitance: 12000pF
Style d'emballage :  TO-263-7 (D2PAK7)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
6 000
États-Unis:
2 000
d’Allemagne (En ligne seulement):
4 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
1000
Total 
2 840,00 $
USD
Quantité
Prix Internet
1 000+
$2.84
Product Variant Information section