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Référence fabricant

IPA60R180P7SXKSA1

Single N-Channel 600 V 180 mOhm 25 nC CoolMOS™ Power Mosfet - TO-220-3FP

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2333
Product Specification Section
Infineon IPA60R180P7SXKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 600V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.18Ω
Rated Power Dissipation: 26W
Qg Gate Charge: 25nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 18A
Turn-on Delay Time: 14ns
Turn-off Delay Time: 85ns
Rise Time: 12ns
Fall Time: 8ns
Operating Temp Range: -40°C to +150°C
Gate Source Threshold: 3.5V
Technology: CoolMOS
Input Capacitance: 1081pF
Style d'emballage :  TO-220FP (TO-220FPAB)
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
410
d’Allemagne (En ligne seulement):
410
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Commande minimale :
50
Multiples de :
500
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
39,50 $
USD
Quantité
Prix Internet
50
$0.79
1 500
$0.765
2 000
$0.76
5 000
$0.735
7 500+
$0.715
Product Variant Information section