Référence fabricant
IGLD60R070D1AUMA1
IGLD60R070D1: 600 V 15A CoolGaN™ Enhancement-Mode Power Transistor - PG-LSON-8-1
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Cut Tape Style d'emballage :PG-LSON-8-1 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IGLD60R070D1AUMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Obsolète
Obsolète
Infineon IGLD60R070D1AUMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 600V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 70mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 114W |
| Qg Gate Charge: | 5.8nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 10V |
| Drain Current: | 15A |
| Turn-on Delay Time: | 15ns |
| Turn-off Delay Time: | 15ns |
| Rise Time: | 9ns |
| Fall Time: | 13ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 0.9V |
| Technology: | GaN |
| Input Capacitance: | 380pF |
| Style d'emballage : | PG-LSON-8-1 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
Infineon Technologies has extended its CoolGaN™ series of ultra-high efficiency Gallium Nitride (GaN) power transistors with the introduction of two new devices
APPLICATIONS
• Low-power switch-mode power supplies
• Telecoms rectifiers
• Servers
• Adapters and chargers
• Wireless charging
• Hi-fi and audio equipment
FEATURES
• Thermally-efficient surface-mount packages
• Low capacitance
• High quality and reliability
• Devices can be paralleled
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
1
$24.22
15
$23.82
75
$23.59
300
$23.39
1 500+
$23.06
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Cut Tape
Style d'emballage :
PG-LSON-8-1
Méthode de montage :
Surface Mount