Référence fabricant
IAUC60N04S6L045HATMA1
N-Channel 40 V 60 A 52 W 4.5 mOhm Surface Mount Power Mosfet - PG-TDSON-8-57
Product Specification Section
Infineon IAUC60N04S6L045HATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Infineon IAUC60N04S6L045HATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: | N-Ch |
No of Channels: | 1 |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 40V |
Drain-Source On Resistance-Max: | 4.5mΩ |
Rated Power Dissipation: | 52W |
Qg Gate Charge: | 14nC |
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 16V |
Drain Current: | 60A |
Turn-on Delay Time: | 2ns |
Turn-off Delay Time: | 9ns |
Rise Time: | 1ns |
Fall Time: | 4ns |
Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
Gate Source Threshold: | 2V |
Technology: | Si |
Style d'emballage : | PG-TDSON-8-57 |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix unitaire
5 000+
$0.50
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par Reel
Style d'emballage :
PG-TDSON-8-57
Méthode de montage :
Surface Mount