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Référence fabricant

FDV304P

P-Channel 25 V 1.5 Ohm Surface Mount Digital FET - SOT-23-3

Product Specification Section
onsemi FDV304P - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: P-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 25V
Drain-Source On Resistance-Max: 1.5Ω
Rated Power Dissipation: 0.35|W
Qg Gate Charge: 1.5nC
Style d'emballage :  SOT-23 (SC-59,TO-236)
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The FDV304P is a 25 V 1.5 Ω P-Channel enhancement mode field effect transistors is produced using  high cell density, DMOS technology. This very high density process is tailored to minimize on-state resistance at low gate drive conditions.

Features:

  • -25 V, -0.46 A continuous, -1.5 A Peak.
  • RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS = -4.5 V,
  • RDS(ON) = 1.5 Ω @ VGS= -2.7 V.
  • Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3 V 
  • Gate-Source Zener for ESD ruggedness.
  • 6 kV Human Body Model.
  • Compact industry standard SOT-23 surface mount package

Applications:

  • Battery power applications
  • Notebook computers
  • Cellular phones
Pricing Section
Stock global :
27 000
États-Unis:
27 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
9 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
126,00 $
USD
Quantité
Prix Internet
3 000
$0.042
9 000
$0.0404
15 000
$0.0397
30 000
$0.0387
60 000+
$0.0372