Référence fabricant
FDN335N
N-Channel 20 V 0.07 Ohm 2.5 V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SSOT-3 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2350 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi FDN335N - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi FDN335N - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 70mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 0.5|W |
| Style d'emballage : | SSOT-3 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The FDN335N is a 20 V 0.07 Ohm N-Channel 2.5 V Specified PowerTrench MOSFET is produced using advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.
Features:
- 1.7 A, 20 V. RDS(on) = 0.07 Ω @ VGS = 4.5 V. RDS(on) = 0.100 Ω @ VGS = 2.5 V.
- Low gate charge (3.5nC typical).
- High performance trench technology for extremely lowRDS(ON).
- High power and current handling capability.
Applications:
- Load switch
- Battery protection
- Power management
Pricing Section
Stock global :
297 000
États-Unis:
84 000
d’Allemagne (En ligne seulement):
213 000
Délai d'usine :
11 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.109
6 000
$0.107
15 000
$0.106
30 000+
$0.104
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SSOT-3
Méthode de montage :
Surface Mount