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onsemi | FDMS86200

Référence fabricant

FDMS86200

N-Channel 150 V 35 A Shielded Gate PowerTrench Mosfet - POWER56

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2422
Product Specification Section
onsemi FDMS86200 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 150V
Drain-Source On Resistance-Max: 21mΩ
Rated Power Dissipation: 104|W
Qg Gate Charge: 26nC
Style d'emballage :  POWER 56-8
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The FDMS86200 is a N-Channel MOSFET. It is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.

Features:

  • Max rDS(on) = 18 mΩ at VGS = 10 V, ID = 9.6 A
  • Max rDS(on) = 21 mΩ at VGS = 6 V, ID = 8.8 A
  • Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
  • MSL1 robust package design
  • 100% UIL tested
  • RoHS Compliant

    • Applications:

    • DC-DC Conversion

    View the complete FDMS86x series of MosFets

    Pricing Section
    Stock global :
    189 000
    États-Unis:
    60 000
    d’Allemagne (En ligne seulement):
    129 000
    Sur commande :
    0
    Stock d'usine :Stock d'usine :
    0
    Délai d'usine :
    11 Semaines
    Commande minimale :
    3000
    Multiples de :
    3000
    tariff icon
    Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
    Total 
    2 835,00 $
    USD
    Quantité
    Prix unitaire
    3 000+
    $0.945
    Product Variant Information section