Référence fabricant
DMN53D0LDW-7
Dual N-Channel 50 V 310 mW 0.6 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-363
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par | ||||||||||
| Code de date: | 2242 | ||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMN53D0LDW-7 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Diodes Incorporated DMN53D0LDW-7 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | Dual N-Ch |
| No of Channels: | 2 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 50V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 4.5Ω |
| Rated Power Dissipation: | 310mW |
| Qg Gate Charge: | 0.6nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 1.5V |
| Drain Current: | 360mA |
| Turn-on Delay Time: | 2.7ns |
| Turn-off Delay Time: | 19ns |
| Rise Time: | 2.5ns |
| Fall Time: | 11ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 1.5V |
| Technology: | Si |
| Height - Max: | 1mm |
| Length: | 2.2mm |
| Input Capacitance: | 46pF |
Pricing Section
Stock global :
5
d’Allemagne (En ligne seulement):
5
Sur commande :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Quantité
Prix Internet
1
$0.0479
15
$0.0418
75
$0.0385
300
$0.0359
1 500+
$0.032
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par