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Référence fabricant

DMG6602SVT-7

N & P Channel 30 V 60 mOhm Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet-TSOT-23-6

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Diodes Incorporated
Emballage standard:
Code de date: 2341
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMG6602SVT-7 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: Dual N/P-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30V/-30V
Drain-Source On Resistance-Max: 60mΩ/95mΩ
Rated Power Dissipation: 1.27|W
Qg Gate Charge: 4nC/4nC
Style d'emballage :  TSOT-26
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
63 000
États-Unis:
63 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
199,80 $
USD
Quantité
Prix Internet
3 000
$0.0666
9 000
$0.064
15 000
$0.0629
30 000
$0.0613
60 000+
$0.059