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Référence fabricant

BSS169H6327XTSA1

Single N-Channel 100 V 6 Ohm 2.1 nC SIPMOS® Small Signal Mosfet - SOT-23

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2444
Product Specification Section
Infineon BSS169H6327XTSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Drain-Source On Resistance-Max:
Rated Power Dissipation: 360|mW
Qg Gate Charge: 2.1nC
Style d'emballage :  SOT-23 (SC-59,TO-236)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
6 000
d’Allemagne (En ligne seulement):
6 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
300,00 $
USD
Quantité
Prix Internet
3 000
$0.10
6 000
$0.0973
9 000
$0.0958
12 000
$0.0947
15 000+
$0.0913
Product Variant Information section