Référence fabricant
BSS123-7-F
N-Channel 100 V 6 Ohm Surface Mount Enhancement Mode Transistor SOT-23-3
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SOT-23 (SC-59,TO-236) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2306 | ||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated BSS123-7-F - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Diodes Incorporated BSS123-7-F - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 6Ω |
| Rated Power Dissipation: | 300|mW |
| Style d'emballage : | SOT-23 (SC-59,TO-236) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The BSS123-7-F is a part of BSS123 Series 100 V 6 Ω N-Channel Enhancement Mode Transistor available in a SOT-23-3 package.
Product Features:
- Low Gate Threshold Voltage
- Low Input Capacitance
- Fast Switching Speed
- Low Input/Output Leakage
- High Drain-Source Voltage Rating
- Power Dissipation is 300 mW
- Thermal Resistance, Junction to Ambient is 417 °C/W
- Operating and Storage Temperature Range is -55 to +150 °C
Applications:
- Small servo motor control
- Power MOSFET gate drivers
- Switching applications
View the BSS123 Series of Transistor
Pricing Section
Stock global :
3 591 000
États-Unis:
2 241 000
d’Allemagne (En ligne seulement):
1 350 000
Délai d'usine :
8 Semaines
Quantité
Prix Internet
3 000
$0.0264
12 000
$0.0253
30 000
$0.0245
75 000
$0.0238
120 000+
$0.0228
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-23 (SC-59,TO-236)
Méthode de montage :
Surface Mount