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Nexperia | BSS123,215

Référence fabricant

BSS123,215

BSS123 Series 100 V 6 O 25 mW N-Channel TrenchMOS Logic Level FET - SOT-23

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Nexperia
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2423
Product Specification Section
Nexperia BSS123,215 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Drain-Source On Resistance-Max: 6Ω
Rated Power Dissipation: 0.25|W
Style d'emballage :  SOT-23 (SC-59,TO-236)
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The BSS is a Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology.

This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

Features:

  • Saves PCB space due to small footprint
  • Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics
  • Suitable for logic level gate drive sources

Applications:

  • High-speed line drivers
  • Relay drivers
  • Telephone ringers

View the BSS Series of N-Channel TrenchMOS Logic Level FET

Pricing Section
Stock global :
15 000
États-Unis:
15 000
Sur commande :Order inventroy details
30 000
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
8 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
73,50 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.0245
9 000
$0.0239
15 000
$0.0236
30 000
$0.0233
60 000+
$0.0227
Product Variant Information section