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Référence fabricant

BSC047N08NS3GATMA1

Single N-Channel 80 V 4.7 mOhm 52 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TDSON-8

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Code de date: 2423
Product Specification Section
Infineon BSC047N08NS3GATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 80V
Drain-Source On Resistance-Max: 4.7mΩ
Rated Power Dissipation: 2.5|W
Qg Gate Charge: 52nC
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
10 000
d’Allemagne (En ligne seulement):
10 000
Sur commande :Order inventroy details
5 000
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
16 Semaines
Commande minimale :
5000
Multiples de :
5000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
3 500,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
5 000+
$0.70