Référence fabricant
BSC047N08NS3GATMA1
Single N-Channel 80 V 4.7 mOhm 52 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TDSON-8
Product Specification Section
Infineon BSC047N08NS3GATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Infineon BSC047N08NS3GATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: | N-Ch |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 80V |
Drain-Source On Resistance-Max: | 4.7mΩ |
Rated Power Dissipation: | 2.5|W |
Qg Gate Charge: | 52nC |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
10 000
d’Allemagne (En ligne seulement):
10 000
Délai d'usine :
16 Semaines
Quantité
Prix unitaire
5 000+
$0.70
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount