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Référence fabricant

AFM906NT1

AFM906N Series 30 V 520 MHz SMT Airfast RF Power LDMOS Transistor - DFN-4 X 6

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: NXP
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
NXP AFM906NT1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30V
Rated Power Dissipation: 65800mW
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 12V
Operating Temp Range: -40°C to +150°C
Gate Source Threshold: 2.15V
Input Capacitance: 68.9pF
Style d'emballage :  DFN-16
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
12 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
1000
Total 
1 130,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1 000
$1.13
2 000
$1.12
3 000+
$1.11
Product Variant Information section