Référence fabricant
2SK1317-E
2SK1317 Series 1500 V 12 Ohm 100 W Silicon Through Hole N Channel Mosfet - TO-3P
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| Nom du fabricant: | Renesas | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :30 par Tube Style d'emballage :TO-3P Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2332 | ||||||||||
Product Specification Section
Renesas 2SK1317-E - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Renesas 2SK1317-E - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1500V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 12Ω |
| Rated Power Dissipation: | 100W |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 2.5A |
| Turn-on Delay Time: | 17ns |
| Turn-off Delay Time: | 110ns |
| Rise Time: | 70ns |
| Fall Time: | 60ns |
| Technology: | Si |
| Input Capacitance: | 990pF |
| Style d'emballage : | TO-3P |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
39 208
d’Allemagne (En ligne seulement):
39 208
Sur commande :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix Internet
30
$4.10
90
$3.99
150
$3.94
600
$3.81
900+
$3.72
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
30 par Tube
Style d'emballage :
TO-3P
Méthode de montage :
Through Hole