Référence fabricant
IGD06N60TATMA1
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Product Specification Section
Infineon IGD06N60TATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Fichier
Date
Fabrication site and Material Change
04/28/2023 Détails et téléchargement
Labeling Change
01/11/2022 Détails et téléchargement
Introduction of additional lot number prefix �VA� besides existing prefix �1E� and �PF�.Reason:In order to avoid a potential limitation of weekly wafer lot starts due to restrictions in tracking capabilities, and thus, to secure future supply, it is necessary to implement an additional lot number prefix.
Statut du produit:
Actif
Actif
Infineon IGD06N60TATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
CE Voltage-Max: | 600V |
Collector Current @ 25C: | 12A |
Power Dissipation-Tot: | 88W |
Gate - Emitter Voltage: | 20V |
Pulsed Collector Current: | 18A |
Collector - Emitter Saturation Voltage: | 1.5V |
Turn-on Delay Time: | 9ns |
Turn-off Delay Time: | 130ns |
Qg Gate Charge: | 42nC |
Leakage Current: | 100nA |
Input Capacitance: | 368pF |
Operating Temp Range: | -40°C to +175°C |
No of Terminals: | 3 |
Style d'emballage : | TO-252-3 (DPAK) |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
2 500
d’Allemagne (En ligne seulement):
2 500
Délai d'usine :
19 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.31
5 000
$0.305
7 500
$0.30
12 500+
$0.295
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage :
Surface Mount