Référence fabricant
GNP1150TCA-ZE2
650V 11A 150 mOhm N-ch DFN8080AK, E-mode Gallium-Nitride(GaN) FET
Product Specification Section
ROHM GNP1150TCA-ZE2 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
ROHM GNP1150TCA-ZE2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Product Status: | Active |
Technology: | GaNFET (Gallium Nitride) |
Fet Type: | N-Ch |
Drain Current: | 11A |
No of Channels: | 1 |
Qg Gate Charge: | 2.7nC |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 6V |
Input Capacitance: | 112pF |
Rated Power Dissipation: | 46.3W |
Operating Temp Range: | 150°C |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
393
États-Unis:
393
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3500 par Cut Tape
Méthode de montage :
Surface Mount