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Référence fabricant

GAN7R0-150LBEZ

150 V, 7 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a 2.2 mm x 3.2 mm x 0.774 mm Land Gri

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Nexperia
Emballage standard:
Code de date: 2312
Product Specification Section
Nexperia GAN7R0-150LBEZ - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Product Status: Active
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Fet Type: N-Ch
Drain Current: 60A
No of Channels: 1
Qg Gate Charge: 12nC
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 6V
Input Capacitance: 1000pF
Rated Power Dissipation: 394W
Operating Temp Range: -40°C to +150°C
Style d'emballage :  WLCSP-8
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
2 500
États-Unis:
2 500
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
6 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
2 750,00 $
USD
Quantité
Prix Internet
2 500+
$1.10