Référence fabricant
GAN3R2-100CBEAZ
100 V, 3.2 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a 3.5 mm x 2.13 mm Wafer Level Chip
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| Nom du fabricant: | Nexperia | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1500 par Reel Style d'emballage :WLCSP-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Nexperia GAN3R2-100CBEAZ - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Nexperia GAN3R2-100CBEAZ - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Technology: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain Current: | 60A |
| No of Channels: | 1 |
| Qg Gate Charge: | 12nC |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 6V |
| Input Capacitance: | 1000pF |
| Rated Power Dissipation: | 349W |
| Operating Temp Range: | -40°C to +150°C |
| Style d'emballage : | WLCSP-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
6 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 500+
$1.55
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1500 par Reel
Style d'emballage :
WLCSP-8
Méthode de montage :
Surface Mount