Référence fabricant
GAN190-650EBEZ
650 V, 11.5 A, 190 mOhm, SOT8074-1
Product Specification Section
Nexperia GAN190-650EBEZ - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Nexperia GAN190-650EBEZ - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Product Status: | Active |
Technology: | GaNFET (Gallium Nitride) |
Fet Type: | N-Ch |
Drain Current: | 11.5A |
No of Channels: | 1 |
Qg Gate Charge: | 2.8nC |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 7V |
Input Capacitance: | 96pF |
Rated Power Dissipation: | 125W |
Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
6 Semaines
Quantité
Prix Internet
2 500+
$1.25
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount