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Référence fabricant

GAN190-650EBEZ

650 V, 11.5 A, 190 mOhm, SOT8074-1

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Nexperia
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Nexperia GAN190-650EBEZ - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Product Status: Active
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Fet Type: N-Ch
Drain Current: 11.5A
No of Channels: 1
Qg Gate Charge: 2.8nC
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 650V
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 7V
Input Capacitance: 96pF
Rated Power Dissipation: 125W
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
6 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
3 125,00 $
USD
Quantité
Prix Internet
2 500+
$1.25
Product Variant Information section