Référence fabricant
MJD31CT4G
MJD31 Series 100 V 3 A 1.56 W Complementary Power Transistor - DPAK-3
Product Specification Section
onsemi MJD31CT4G - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi MJD31CT4G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Polarity: | NPN |
Type: | Power Transistor |
CE Voltage-Max: | 100V |
Collector Current Max: | 3A |
Power Dissipation-Tot: | 1.56W |
DC Current Gain-Min: | 25 |
Style d'emballage : | TO-252-3 (DPAK) |
Méthode de montage : | Tab Mount |
Fonctionnalités et applications
The MJD31CT4G is a Complementary Power Transistor with Base Current of 1 A, available in a TO-252 package.
Features:
- Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves
- Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“1” Suffix)
- Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)
- Electrically Similar to Popular TIP31 and TIP32 Series
- Epoxy Meets UL 94, V−0 @ 0.125 in
- ESD Ratings:
- Human Body Model, 3B > 8000 V
- Machine Model, C > 400 V
- NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
- These are Pb−Free Packages
Applications:
- General purpose amplifier
- Low speed switching applications
View the List of available MJD31 Series of Bipolar Transistors
Pricing Section
Stock global :
62 500
d’Allemagne (En ligne seulement):
62 500
Délai d'usine :
10 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.159
5 000
$0.157
7 500
$0.156
12 500+
$0.153
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage :
Tab Mount