Référence fabricant
NCD57090ADWR2G
NCD57090 Series 30 V 6.5 A Isolated High Current IGBT Gate Driver - SOIC-8W
Product Specification Section
onsemi NCD57090ADWR2G - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi NCD57090ADWR2G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
No of Outputs: | Single |
Peak Output Current: | 6.5A |
Supply Voltage-Max: | 30V |
Rated Power Dissipation: | 1.47W |
Quiescent Current: | 5.5mA |
Turn-off Delay Time: | 60ns |
Turn-on Delay Time: | 60ns |
Rise Time: | 13ns |
Fall Time: | 13ns |
Operating Temp Range: | -40°C to +125°C |
Style d'emballage : | SOIC-8W |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
23 Semaines
Quantité
Prix Internet
1 000+
$1.35
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
SOIC-8W
Méthode de montage :
Surface Mount