MR0A16ACYS35R in Reel by Everspin Technologies | Mémoires MRAM | Future Electronics
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Everspin Technologies | MR0A16ACYS35R

Référence fabricant

MR0A16ACYS35R

MR0A16 Series 3.3 V 1 Mb (64K x 16) 35 ns 105 mA MRAM - TSOPII -44

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Everspin Technologies
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Everspin Technologies MR0A16ACYS35R - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Memory Density: 1Mb
Memory Organization: 64K x 16
Supply Voltage-Nom: 3.3V
Access Time-Max: 35ns
Temperature Range: -40°C to +85°C
Style d'emballage :  TSOP II-44
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The MR0A16ACYS35R is a magnetoresistive random access memory (MRAM) device organized as 65,536 words of 16 bits. It is available in 44-pin thin small outline package (TSOP Type 2) with commercial temperature range of 0 to +70 °C.

This device offers SRAM compatible 35 ns read/write timing with unlimited endurance. Data is always non-volatile for greater than 20 years. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification.

Features:

  • 3.3 Volt power supply
  • Fast 35ns read/write cycle
  • SRAM compatible timing
  • Unlimited read & write endurance
  • Commercial, Industrial, and Extended Temperatures
  • Data non-volatile for >20 years at temperature
  • RoHS-compliant TSOP2 and BGA packages available

Benefits:

  • One memory replaces FLASH, SRAM, EEPROM and BBSRAM in system for
  • simpler, more efficient designs
  • Improves reliability by replacing battery-backed SRAM
  • Automatic data protection on power loss

View the available MR0A16A series of MRAMs

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Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Commande minimale :
1500
Multiples de :
1500
Total 
18 120,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1 500+
$12.08
Product Variant Information section