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Référence fabricant
TSM038N03PQ33 RGG
30 V 78A 39W Surface Mount N-Channel MOSFET - PDFN-8 (3.1x3.1)
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| Nom du fabricant: | Taiwan Semiconductor | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :5000 par Reel Style d'emballage :PDFN-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2432 | ||||||||||
Product Specification Section
Taiwan Semiconductor TSM038N03PQ33 RGG - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=TSM038N03PQ33 RGG&field4=Taiwan Semiconductor&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/tsm038n03pq33-rgg-taiwan-semiconductor-7185216
Taiwan Semiconductor TSM038N03PQ33 RGG - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 3.8mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 39W |
| Qg Gate Charge: | 24nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 78A |
| Turn-on Delay Time: | 11ns |
| Turn-off Delay Time: | 33ns |
| Rise Time: | 80ns |
| Fall Time: | 65ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 1.6V |
| Technology: | TrenchMOS |
| Input Capacitance: | 2557pF |
| Style d'emballage : | PDFN-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
10 000
États-Unis:
10 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
16 Semaines
Quantité
Prix unitaire
5 000
$0.28
10 000
$0.275
25 000+
$0.27
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par Reel
Style d'emballage :
PDFN-8
Méthode de montage :
Surface Mount