STP60NF10 in Tube by STMicroelectronics | Mosfet | Future Electronics
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Référence fabricant

STP60NF10

N-Channel 100 V 23 mOhm STripFET II Power MosFet - TO-220

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2432
Product Specification Section
STMicroelectronics STP60NF10 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.023Ω
Rated Power Dissipation: 300|W
Qg Gate Charge: 104nC
Style d'emballage :  TO-220-3 (TO-220AB)
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
13 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
50
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
645,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
50
$0.645
2 000
$0.635
3 000
$0.63
5 000+
$0.615
Product Variant Information section