Référence fabricant
IRFR3607TRPBF
Single N-Channel 75 V 9 mOhm 84 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2000 par Reel Style d'emballage :TO-252-3 (DPAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRFR3607TRPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Infineon IRFR3607TRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 75V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 9mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 140W |
| Qg Gate Charge: | 84nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 80A |
| Turn-on Delay Time: | 16ns |
| Turn-off Delay Time: | 43ns |
| Rise Time: | 110ns |
| Fall Time: | 96ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Technology: | Si |
| Height - Max: | 2.39mm |
| Length: | 6.73mm |
| Input Capacitance: | 3070pF |
| Style d'emballage : | TO-252-3 (DPAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 000
$0.46
4 000
$0.455
6 000
$0.45
8 000+
$0.445
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2000 par Reel
Style d'emballage :
TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage :
Surface Mount