IRF7309TRPBF in Reel by Infineon | Mosfet | Future Electronics
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Référence fabricant

IRF7309TRPBF

Dual N/P-Channel 30 V 0.08/0.16 Ohm 25 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2429
Product Specification Section
Infineon IRF7309TRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: Dual N/P-Ch
No of Channels: 2
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: -30V/30V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.08Ω/0.16Ω
Rated Power Dissipation: 1.4W
Qg Gate Charge: 25nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: -20V/20V
Drain Current: -3A/4A
Turn-on Delay Time: 6.8ns/11ns
Turn-off Delay Time: 22ns/25ns
Rise Time: 21ns/17ns
Fall Time: 7.7ns/18ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: -1V/1V
Technology: Generation V
Height - Max: 1.75mm
Length: 5mm
Input Capacitance: 520pF/440pF
Style d'emballage :  SOIC-8
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
24 000
États-Unis:
24 000
Sur commande :Order inventroy details
160 000
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Commande minimale :
4000
Multiples de :
4000
Total 
940,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
4 000
$0.235
16 000+
$0.23
Product Variant Information section