MJE182G in Box by onsemi | Transistors bipolaires | Future Electronics
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Référence fabricant

MJE182G

MJE Series 100 V 3 A NPN Complementary Plastic Silicon Power Transistor TO-225AA

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2423
Product Specification Section
onsemi MJE182G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Polarity: NPN
Type: Power Transistor
CE Voltage-Max: 100V
Collector Current Max: 3A
Power Dissipation-Tot: 12.5W
DC Current Gain-Min: 50
Style d'emballage :  TO-225 (TO-126, SOT-32)
Méthode de montage : Through Hole
Fonctionnalités et applications
The MJE170/180 series is designed for low power audio amplifier and low current, high speed switching applications. The MJE170, MJE171, MJE172 (PNP); MJE180, MJE181, MJE182 (NPN) are complementary devices.

Features:

  • Collector-Emitter Sustaining Voltage
    • VCEO(sus) = 60 Vdc - MJE171, MJE181
    • VCEO(sus) = 80 Vdc - MJE172, MJE182
  • DC Current Gain
    • hFE = 30 (Min) @ IC = 0.5 Adc
    • hFE = 12 (Min) @ IC = 1.5 Adc
  • Current-Gain - Bandwidth Product
    • fT = 50 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc
  • Annular Construction for Low Leakages
    • ICBO = 100 nA (Max) @ Rated VCB
  • Pb-Free Packages are Available

Learn more about the MJE180 family of Bipolar Transistors

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Pricing Section
Stock global :
3 680
États-Unis:
3 680
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
9 Semaines
Commande minimale :
1
Multiples de :
1
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
0,30 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1
$0.295
100
$0.285
300
$0.28
1 000
$0.275
3 000+
$0.26
Product Variant Information section