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Référence fabricant
FDC8601
FDC8601 Series 100 V 109 mOhm N-Channel Shielded Gate PowerTrench Mosfet -SSOT-6
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SSOT-6 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi FDC8601 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi FDC8601 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 109mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 1.6|W |
| Qg Gate Charge: | 3nC |
| Style d'emballage : | SSOT-6 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
24 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000+
$0.60
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SSOT-6
Méthode de montage :
Surface Mount