Référence fabricant
NVH4L070N120M3S
N-Channel 1200 V 34 A 160 W Through Hole Silicon Carbide MOSFET - TO-247-4L
| | |||||||||||
| | |||||||||||
| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :30 par Tube Style d'emballage :TO-247-4 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2411 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi NVH4L070N120M3S - Spécifications du produit
Informations de livraison:
L'article ne peut être envoyé à certains pays. Voir la liste
L'article ne peut pas être envoyé aux pays suivants:
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi NVH4L070N120M3S - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No. of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
| Drain Current: | 34A |
| Input Capacitance: | 1230pF |
| Power Dissipation: | 160W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Style d'emballage : | TO-247-4 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
509 850
États-Unis:
509 850
Sur commande :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Quantité
Prix unitaire
30
$8.18
90
$8.12
120
$8.10
300
$8.04
450+
$7.99
Product Variant Information section
Emballages disponibles
- TubeSelected Variant Qté: 30+ / Prix unitaire: $8.18 / Stock: 509 850 Qté: 30+$8.18 Stock: 509 850
- Tube Qté: 1+ / Prix unitaire: $8.39 / Stock: 70 Qté: 1+$8.39 Stock: 70
- Tube Qté: 450+ / Prix unitaire: $8.39 / Stock: 0 Qté: 1+$8.39 Stock: 0
- Tube Qté: 30+ / Prix unitaire: $8.37 / Stock: 90 Qté: 30+$8.37 Stock: 90
- Tube Qté: 450+ / Prix unitaire: $8.39 / Stock: 0 Qté: 1+$8.39 Stock: 0
Qté d'emballage(s) :
30 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-4
Méthode de montage :
Through Hole