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Référence fabricant

NTHL060N090SC1

N-Channel 900 V 46 A 221 W Through Hole Silicon Carbide MOSFET - TO-247-3

Product Specification Section
onsemi NTHL060N090SC1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 900V
Drain Current: 46A
Input Capacitance: 1770pF
Power Dissipation: 221W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Style d'emballage :  TO-247-3
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne (En ligne seulement):
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Commande minimale :
1
Multiples de :
30
Total 
6,20 $
USD
Quantité
Prix Internet
1
$6.20
10
$6.13
30
$6.08
125
$6.02
300+
$5.93