STD26P3LLH6 in Reel by STMicroelectronics | Mosfet | Future Electronics
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Référence fabricant

STD26P3LLH6

STD26P3LLH6: 30V 0.030 Ohm 12 A P-Ch. STripFET™ VI DeepGATE™ Power Mosfet-DPAK-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STD26P3LLH6 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: P-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.0055Ω
Rated Power Dissipation: 40W
Qg Gate Charge: 12nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 80A
Turn-on Delay Time: 15ns
Turn-off Delay Time: 24ns
Rise Time: 15ns
Fall Time: 21ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 1V
Technology: Si
Height - Max: 2.4mm
Length: 6.6mm
Input Capacitance: 5500pF
Style d'emballage :  TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
13 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
1 075,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.43
5 000
$0.42
7 500+
$0.415